Bandstruktur
Energiebandstruktur. Darstellung der quanti tatixen Energieabhängigkeit der freien Elektronen bzw. Defektelektronen im (reziproken) Gitter eines r Halbleiters. Anders als beim Bändermodell werden in der B. die erlaubten und verbotenen Energiebänder in ihrer komplizierten Abhängigkeit vom Kristallgitter dargestellt, wobei nicht die direkte Ortsabhängigkeit (Gittervektor a), sondern deren Reziprokwert zugrunde gelegt wird; dieser entspricht dem quantenmechanischen Impuls der Elektronen k.
Die Energieachse verläuft dabei durch den Impulswert k= 0. Wie aus der B. ersichtlich, besteht in Wirklichkeit jedes Energieband aus einzelnen Teilbändern mit Maxima und Minima. Von besonderer Bedeutung für die Emission von Strahlung ist der in der Zonenmitte gelegene Bandübergang. Die B. ist zur Charakterisierung eines Halbleiters außerordentlich wichtig, da sich daraus zahlreiche Eigenschaften wie Ladungsträgerbeweglichkeit, energetische Verteilung der Ladungsträger, Bandabstand £g usw., aber auch der Verlauf grundlegender Elementarprozesse ableiten lassen. Das Bändermodell wird durch die B. begründet und stellt eine starke Vereinfachung der Halbleiter-B. dar.
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