Siliziumätzverfahren, wobei die Ätzrate unabhängig
von der Kristallrichtung des Siliziums ist. Allgemein bestehen isotrope
Ätzlösungen aus einer oxidierenden und einer oxidlösenden Komponente. Als
besonders geeignet hat sich das Ätzsystem Flusssäure-Salpetersäure (HF-HNO
style=\'font-size:8.0pt;line-height:119%\'>3) erwiesen. Zur
Verdünnung werden entweder Wasser oder Essigsäure beigemischt. In dem
zweistufigen Ätzprozess wird zuerst das Si durch die HNO
style=\'font-size:8.0pt;line-height:119%\'>3 zu SiO
style=\'font-size:8.0pt;line-height:119%\'>2 oxidiert, welches
nachfolgend durch die HF gelöst wird. Isotrope elektrochemische Ätzverfahren
gestatten das Ätzen dünner Membranen. Bei anodischer Vorspannung können n
style=\'font-size:8.0pt;line-height:119%\'>+- und p-dotierte
Schichten selektiv gegen n-Schichten geringer Dotierung geätzt werden. Mittels
isotropen Ätzens können runde Strukturen und Strukturen mit beliebigen Winkeln
zur Kristallrichtung erzeugt werden.
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