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Techniklexikon

isotropes Ätzen

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Autor:
Julian Schultheiss

Siliziumätzverfahren, wobei die Ätzrate unabhängig
von der Kristallrichtung des Siliziums ist. Allgemein bestehen isotrope
Ätzlösungen aus einer oxidierenden und einer oxidlösenden Komponente. Als
besonders geeignet hat sich das Ätzsystem Flusssäure-Salpetersäure (HF-HNO style=\'font-size:8.0pt;line-height:119%\'>3) erwiesen. Zur
Verdünnung werden entweder Wasser oder Essigsäure beigemischt. In dem
zweistufigen Ätzprozess wird zuerst das Si durch die HNO style=\'font-size:8.0pt;line-height:119%\'>3 zu SiO style=\'font-size:8.0pt;line-height:119%\'>2 oxidiert, welches
nachfolgend durch die HF gelöst wird. Isotrope elektrochemische Ätzverfahren
gestatten das Ätzen dünner Membranen. Bei anodischer Vorspannung können n style=\'font-size:8.0pt;line-height:119%\'>+- und p-dotierte
Schichten selektiv gegen n-Schichten geringer Dotierung geätzt werden. Mittels
isotropen Ätzens können runde Strukturen und Strukturen mit beliebigen Winkeln
zur Kristallrichtung erzeugt werden.



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