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Haftstelle

ein Typ von Störstellen in Halbleitern mit hoher Einfangwahrscheinlichkeit für freie Ladungsträger einer Art. Eine Elektronenhaftstelle besitzt eine hohe Einfangwahrscheinlichkeit für Elektronen aus dem Leitungsband und eine verschwindend kleine Einfangwahrscheinlichkeit für Löcher aus dem Valenzband. Im unbesetzten Zustand ist die Elektronenhaftstelle im Gegensatz zum Donator neutral. Durch thermische oder optische Anregung kann das eingefangene Elektron wieder ins Leitungsband gelangen. Entsprechend besitzen Löcherhaftstellen hohe Einfangwahrscheinlichkeit für Löcher im Valenzband.

 

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