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In

Einheitenzeichen für Inch.

Indiumantimonid, neben GaAs (Galliumarsenid) gebräuchlichster III-V-Halbleiter, charakterisiert durch eine direkte Bandlücke (Energielücke):In

wobei wg die Absorptionsfrequenz ist. Wegen dieser vergleichsweise niedrigen Bandlücke ist die Elektronenbeweglichkeit (und proportional die elektrische Leitfähigkeit) in reinem InSb relativ hoch für einen Halbleiter: 8,0 m2 V-1 s-1 (Dielektrizitätszahl er = 18).

 

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in Phase

 

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