Ladungsträgerbeweglichkeit

Driftgeschwindigkeit der elektrischen Ladungsträger in einem elektrischen Feld innerhalb des Kristallgitters (Gitter), bezogen auf eine Feldstärke von 1 V je cm. Ladungsträger in Halbleitern können sowohl Elektronen (Elektron) als auch Löcher (Defektelektron) sein. Man unterscheidet deshalb zwischen Elektronenbeweglichkeit n und Löcherbeweglichkeit p (Maßeinheit jeweils cmVVs). Im allgemeinen ist bei den technisch angewendeten Halbleitern n größer als p. Bei reinen Halbleiterwerkstoffen gelten bei T = 300 K die in der Tafel angegebenen Werte, wobei sich die Relationen mit zunehmender Dotierung ändern können. Bei einem gegebenen Halbleiter hängt die L. von verschiedenen EinVerhältnis von Elektronen- zur Löcherbeweglichkeit bei verschiedenen Einflußgrößen ab, insbesondere von der Dotierung des Halbleiterkristalls und seiner Temperatur (Leitungsmechanismus).

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