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Verarmungsrandschicht

Festkörperphysik, an der Oberfläche eines dotierten Halbleiters auftretende Verarmung an Majoritätsladungsträgern. Sie entsteht, falls Oberflächenzustände unterhalb der Fermi-Energie von Ladungsträgern besetzt werden. Hierdurch verbiegen sich die Bänder an der Oberfläche energetisch nach oben, wodurch die Ladungsträger von der Oberfläche weggedrängt werden.

 

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Verarbeitungseinheit
Verarmungsschicht

 

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