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Homoepitaxie

orientiertes Kristallwachstum auf einkristallinem Substrat. Epitaxieprozess, wobei die aufwachsenden Schichten aus dem gleichen Material bestehen wie das Substrat. Ein typischer Homoepitaxieprozess ist die einkristalline, gasphasenepitaktische Abscheidung von Silicium auf Silicium. Hierbei erfolgt die Anlagerung der Atome bevorzugt an Keimstellen auf dem Substrat. Als Reaktionsgase werden vorwiegend Silane (SiYHx), als Trägergase Stickstoff und Wasserstoff und als Dotierungsgase Phosphin (PH3), Arsin (AsH3) und Diboran (B2H6) verwendet. Es sind Dotierungskonzentrationen von 1014 bis 1020 Atomen pro cm3 erzielbar. Typische Aufwachsraten für 110-Silicium liegen bei 0,5 m / min.

 

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homogen

 

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