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Basisschaltung

Grundschaltung des Bipolar-Transistors mit der Basis als Bezugspunkt. Das Eingangssignal liegt am Emitter. Im Unterschied zur Emitterschaltung ist daher der Eingangswiderstand um den Faktor der Stromverstärkung b kleiner. Die Basisschaltung ist deshalb weniger gebräuchlich. Im Hochfrequenzgebiet ist sie jedoch von Vorteil, da die Kollektor-Basis-Kapazität nicht wie bei der Emitterschaltung durch den Millereffekt vergrössert als Eingangskapazität auftritt. Für die Spannungsverstärkung va gilt unter vereinfachenden Annahmen va = SRC wie bei der Emitterschaltung, aber ohne Phasenumkehr; RC ist der Arbeitswiderstand am Kollektor, S die Steilheit der Übertragungskennlinie. (Bipolar-Transistor)

 

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