Darlington-Transistor

Zusammenschaltung zweier (oder mehrerer) Transistoren mit dem Ziel, einen Quasi-Tran sistor mit sehr großem Stromverstärkungsfaktor zu erhalten.

Der resultierende Stromverstärkungsfaktor des D. entspricht etwa dem Produkt der Stromverstärkungsfaktoren von VI und V2. Beim D. können npn-, pnp-Transistoren und Feldeffekttransistoren miteinander kombiniert werden. Da der Transistor VI dem Transistor V2 als Emitterfolger vorgeschaltet ist, werden mit D. sehr hohe Eingangswiderstände erreicht. Der Komplementär-D. zeigt verbessertes Temperaturverhalten. Er wird vorteilhaft in quasikomplementären Endstufen eingesetzt.

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