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Depletion-Transistor

Engl. depletion, Verarmung. Verarmungstran sistor. Normally-On-Transistor (engl. nor-mally on, selbstleitend). Feldeffekttransistor, bei dem bei Anliegen einer geeigneten SourceDrain-Spannung ein leitender Kanal zwischen Source und Drain bei einer SourceGate-Spannung von vorhanden ist. Durch Anlegen einer negativen Gatespannung gegenüber Source im Fall eines n-Kanal-Transistors bzw. einer positiven Gatespannung im Fall eines p-Kanal-Transistors wird durch eine entsprechende Steuerung der Raumladungszone die Leitfähigkeit herabgesetzt. Bei einer bestimmten Größe des Gatepotentials (Abschnürspannung) hört der leitfähige Kanal auf zu existieren. Der Gegensatz zu den D. sind die Enhancement-Transistoren.

 

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