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Enhancement-Transistor

Engl. enhancement, Anreicherung. Anreicherungstransistor. Normally-Off- Transistor(engl. normally off, selbstsperrend). Feldeffekttransistor, bei dem bei Anliegen einer geeigneten SourceDrain-Spannung kein leitender Kanal zwischen Source und Drain bei einer SourceGate-Spannungvon ±0 V vorhanden ist. Durch Anlegen einer positiven Gate-Spannung gegenüber Source im Falle eines n-Kanal-Transistors bzw. einer negativen Gatespannung im Fall eines p-Kanal-Transi-stors wird durch eine entsprechende Steuerung der Raumladungszone die Leitfähigkeit des Kanals erhöht bzw. erfolgt bei denMISFET bei Erreichen der Schwellspannungüberhaupt erst eine Kanalbildung. Eine Besonderheit ist bei den – MESFET und SFET zu beachten, da es sich bei diesen Typen stets um eine Verarmungssteuerung handelt. Der vorhandene Kanal wird in seinem wirksamen Querschnitt durch die Steuerung der Ausdehnung einer Raumladungszone variiert. Der Begriff des E. wird hier aber auch im übertragenen Sinn benutzt, wenn bei einer SourceGate-Spannung von ±0 V der Kanal bereits vollständig geschlossen ist, was technisch nur bei den MESFET genutzt wird. Richtiger wäre in diesen Fällen der Gebrauch der Bezeichnung Normally-Off-Transistor. Der Gegensatz zu den E. sind die Depletion-Transistoren.

 

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