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HCMOS

Engl. Abk. für high speed complementary me-tal oxide semiconductor, Hochgeschwindig-keits-Metalloxid-Halbleiter. Schaltungsfamilie der unipolaren Schaltungstechnik. H. ist eine Weiterentwicklung der CMOS-Technik. Dieser gegenüber sind die Strukturbreiten und Schichtdicken verringert (z. B. 2... 3 m Gatelänge). Dadurch kann die maximale Arbeitsfrequenz im Vergleich zur Standard-CMOS-Technik auf das Fünffache gesteigert werden. Gleichzeitig sind die Eingangs- und Ausgangsstufen in ihrer Stromergiebigkeit verstärkt. Es gibt eine Ausführung, die kompatibel zur —» Low-Power-Schottky-TTL (LS-TTL) ist. Der Ausgangslastfaktor (Lastfaktor) beträgt i. allg. zehn LS-TTL-Lasten. Somit können H. -Schaltkreise wie normale LS-TTL-Schaltkreise eingesetzt werden. Wegen ihres Aufbaus in CMOS-Tech-nologie haben sie jedoch einen wesentlich geringeren Leistungsverbrauch als diese; insbesondere bei relativ niedrigen Frequenzen. Zahlreiche H. -Schaltkreise sind in Funktion, Anschlußwerten und Anschlußbelegung identisch zu LS-TTL-Schaltkreisen.

 

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