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Inversionsrandschicht

bei einem Halbleiter eine Anreicherungsschicht mit Ladungsträgern, die zur Dotierung entgegengesetzt sind. Sie tritt bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt auf, falls die Bandverbiegung so stark ist, dass die Fermi-Energie im Bereich der Valenzbandkante (bei n-Dotierung) bzw. Leitungsbandkante (bei p-Dotierung) liegt. Ebenso bildet sich eine Inversionsrandschicht in der Übergangszone beim pn-Übergang aus, in diesem Fall durch Diffusion der Minoritätsladungsträger.

 

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Inversionsschicht

 

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