Inversionsschicht

Randschicht unter der Oberfläche eines Halbleiters, bei der durch Inversion eine Umkehrung des ursprünglichen Leitungstyps erfolgt ist.

I. dienen z. B. in IGFET, d. h. in MIS-FET oder MOSFET, als komplementär leitender Kanal, dessen Leitfähigkeit (Leitfähigkeit, spezifische) durch ein äußeres angelegtes elektrostatisches Feld gesteuert werden kann (Feldeffekt). In einem p-leitenden Substrat, das ursprünglich Löcherleitung zeigt, ist beispielsweise die Oberflächenrandschicht an Löchern verarmt und mit Elektronen angereichert. Sie ist folglich n-leitend geworden (Elektronenleitung). Ein entsprechend aufgebauter Feldeffekttransistor ist also ein n-Kanal-Transistor.

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