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Ladungsträgerkompensation

Erzeugung eines Halbleitermaterials (Ge, Si) mit hohem spezifischen Widerstand zur Verwendung als Halbleiterzähler. Das Verfahren basiert darauf, dass sich bei gleicher Akzeptor- und Donatorkonzentration der Halbleiter ähnlich wie ein intrinsisches, idealerweise nichtleitendes Material verhält.

 

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Ladungsträgerkonzentration

 

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Weitere Begriffe : getaktetes RS-Flipflop | Sisyphus-Kühlung | Beaufort-Skala

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