Ladungsträgerinfluenz

Ladungsinfluenz. Trennung der Ladungs träger an der Oberfläche eines Halbleiters durch ein elektrostatisches Feld. L. kann z. B. von Oberflächenzuständen bewirkt werden. In ähnlicher Weise kann auch durch ein äußeres elektrisches Feld eine L. erfolgen. Wird auf eine Halbleiteroberfläche eine Metallelektrode mit einem dazwischenliegenden Dielektrikum aufgebracht, so bewirkt eine gegen den Halbleiter angelegte Spannung ein elektrisches Feld senkrecht zur Oberfläche. Durch Veränderung dieses Feldes läßt sich das Ausmaß der L., d. h. die Tiefe der damit verbundenen Raumladungszone, steuern (Feldeffekt). Die L. kann somit zur elektrischen Steuerung der Leitfähigkeit (Leitfähigkeit, spezifische) von Inversionsschichten in IG-FET dienen.

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