Modulationsdotierung
Martina Wagner
Elektronik, Halbleiterphysik, einseitige Dotierung eines Halbleiter-Heteroüberganges. Dieser Spezialfall eines isotypen Heteroübergangs führt zu einer hohen Ladungsträgerkonzentration im schwach dotierten Bereich, die räumlich von den jeweiligen Donatoren/Akzeptoren im anderen Bereich getrennt ist. Aus diesem Grund ist der Mechanismus der Störstellenstreuung stark eingeschränkt, im Gegensatz zu homogener Dotierung, wo ein starker Abfall der Ladungsträgerbeweglichkeiten bei tiefen Temperaturen eintritt.
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