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SFET

Abk. für Sperrschicht-Feldeffekttransistor. JFEJ(Abk. für junction field effect transistor), Sperrschicht-FET. Feldeffekttransistor, bei dem über das Gate die Leitfähigkeit des Kanals zwischen den Gebieten von Source und^> Drain durch die Ausdehnung der Sperrschicht eines in Sperrichtung gepolten pn-Übergangs gesteuert wird. Die Ausdehnung der Raumladungszone, die die Dicke der Sperrschicht des pn-Über-gangs bestimmt, kann durch das am Gate anliegende Potential variiert werden. Damit ändert sich der wirksame Kanalquerschnitt ebenfalls, und man erreicht so eine Steuerung der Leitfähigkeit des Kanals. Es liegt in jedem Fall eine Verarmungssteuerung vor. S. können als p-Kanal- oder n-Kanal-Transistoren ausgelegt werden. Sie werden meist in Planartechnik gefertigt. Wie die MIS-FET haben die S. geringes Eigenrauschen und hohe Eingangswiderstände.

 

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