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Unterdiffusion

Dotanten unter die MasDiffusion der kenkante. Bei der Dotierung mittels Diffusionsverfahren dringen die Dotanten nicht nur durch das Diffusionsfenster in die Tiefe des Halbleiters ein, sondern breiten sich auch unter der Maskenkante aus. Diese U. ist etwa 0,6- bis 0,9mal so groß wie die Eindringtiefe und meist unerwünscht. Die U. (auch durch nachfolgende Temperaturschritte) ist daher bei der Festlegung der minimalen Abstände zwischen zwei diffundierten Gebieten, d. h. beim Entwurf, zu berücksichtigen. Sie begrenzt den Einsatz von Diffusionsverfahren für die Herstellung hochintegrierter Schaltkreise (LSI).

 

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