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Ausdiffusion

Austritt von Dotanten aus der Halbleiteroberfläche bei Hochtemperaturbehandlung. Die A. führt zu einer Verringerung der Do-tantenkonzentration an der Halbleiteroberfläche. Durch Oxydation der Oberfläche oder durch Abscheiden einer Deckschicht durch CVD kann dieser Effekt unterdrückt werden. Bei der Gasphasenepitaxie werden ausdiffundierende Atome zum Teil in die aufwachsende Schicht eingebaut. Dieser Effekt wird Autodoping (Selbstdotierung) genannt und führt zu einer unerwünschten Dotierung der Schicht.

 

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