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Gasphasenepitaxie

Engl. vapour phase epitaxy. Abk. VPE. Verfahren der Epitaxie, bei dem das aufzuwachsende Material in Form von Gas oder Gasgemischen zur Halbleiterscheibe transpor tiert und dort umgesetzt wird. Die G. ist das für die Siliciumtechnik wichtigste Verfahren der Epitaxie. Dabei werden die Scheiben in einem Quarzglasreaktor durch Hochfrequenz induktiv auf Temperaturen über 1000°C aufgeheizt. Durch Zersetzung von Silan (SiH4) oder Reduktion von Siliciumchlorid mit Hilfe von Wasserstoff entsteht an der Scheibenoberfläche das Sili-cium, das dort aufwächst. Bei Zumischung eines Dotiergases oder einer verdampften Verbindung des. Dotanten erfolgt durch Zersetzung des Gases und Einbau der Dotanten die Dotierung der aufwachsenden Schicht. Normaldruckverfahren benötigen Wasserstoff als Trägergas. Bei Niederdruck verfahren ist kein Trägergas erforderlich, und die benötigte Gasmenge ist geringer. Dampfphasenepitaxie, Vapor Phase Epitaxy, VPE, Überbegriff der Epitaxiemethoden, die gasförmige Stoffe als Ausgangsmaterialien für das Schichtwachstum verwenden. Sie kann unterteilt werden in die chemische Gasphasenepitaxie und die Molekularstrahlepitaxie. Die Gasphasenbeschichtung umfasst auch das Wachstum von polykristallinen oder amorphen Stoffen. (Beschichtung, Epitaxie)

 

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