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Oxydation

Verfahren im Zyklus I der Bauelementefertigung, bei dem die Oberfläche des Wafers oder Teile davon mit Sauerstoff zur Reaktion gebracht werden. In der Siliciumtechnik entsteht bei der O. Siliciumdioxid, das z. B. als Maske bei der Dotierung durch Diffusionsverfahren oder als Isolator in der MOS-Technik (Gate- und Feldoxid) eingesetzt wird. Am verbreitetsten ist die thermische O. (Oxydation, thermische) bei hoher Temperatur im Strom eines sauerstoffhaltigen Gases. Da hohe Temperaturen zu einer unerwünschten Veränderung des Dotierungsprofils durch Diffusion führen, wurden Niedertemperaturverfahren entwickelt. Dabei hat die Hochdruckoxydation als Variante der thermischen O. die größte technische Bedeutung. Ein weiteres Niedertemperaturverfahren ist die anodische O. (Oxydation, anodische). Die O. kann sowohl auf der gesamten Waferoberflä-che als auch mit einer Maske aus Sili-ciumnitrid durchgeführt werden (LOCMOS-Verfahren). An Luft gelagerte Halblei-teroberflächen sind immer mit einer dünnen Oxidschicht überzogen.

 

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Oxydation anodische

 

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