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Diffusionsprofil

Verteilung der Dotanten im Halbleiter, die bei der Dotierung durch Diffusionsverfahren entsteht und die das Dotierungsprofil mitbestimmt. Bei Hochtemperaturschritten (Diffusionsverfahren, Oxydation) werden die Dotanten in die Kristalltiefe verteilt. Dotantenvertei-lungen mit der Lage der Maximalkonzentration in der Kristalltiefe sind durch Epitaxie nach Diffusionsdotierung möglich (SBC-Verfahren).

 

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