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SBC-Verfahren

Engl. Abk. für Standard-Buried-Collector-Verfahren, Standardverfahren mit vergrabe nem Kollektor. Standardfertigungsverfahren für bipolare Silicium-IS. Das S. basiert auf der Epitaxie-Doppeldiffu-sions-Technik (Planar-Epitaxie-Technik). Ausgehend von einem hochohmigen p-do-tierten Substrat wird auf diesem zuerst eine vergrabene n+-Schicht (Gebiet, begrabenes) für die Kollektorbahn erzeugt, danach eine hochohmige n-Epitaxieschicht für das Kollektorgebiet selbst. Anschließend werden die p+-Isolationsrahmen eindiffundiert, so daß die n-Inseln durch Sperrschichtisolation voneinander getrennt sind. Diese nehmen die jeweiligen Funktionselemente auf. Die Basisgebiete der Transistoren werden dabei über eine p-Diffusion, die Emittergebiete und Kollektoranschlüsse über eine (zweite) n+-Diffusion hergestellt wird gegenwärtig der überwiegende Teil der bipolaren analogen (IS, analoge) und digitalen Schaltungen (IS, digitale) gefertigt, so z. B. die Schaltungsfamilien TTL und DTL, z. T. auch ECL. Das Verfahren ist jedoch auf mittlere Integrationsgrade begrenzt und auch nicht für sehr schnelle Bipolarschaltungen geeignet, so daß in verschiedenen Richtungen Weiterentwicklungen erfolgt sind. Insbesondere konnten höhere Packungsdichten und bessere dynamische Parameter (Grenzfrequenz, obere; Schaltgeschwindigkeit) durch Verkleinerung der Lateral- und Vertikalstrukturen, Dünnschichtepitaxie und Einbeziehung verbesserter Isolationstechniken erzielt werden.

 

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