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Dotierungsprofil

Dotantenverteilung im Halbleiter, die durch die Gesamtheit aller Dotierungs- (Dotie rung) und Hochtemperaturschritte (z. B. Oxydation) entsteht. Die Gesamtheit aller Dotierungsschritte (bei der Kristallzüchtung, durch Diffusionsverfahren, Epitaxie und’ Ionenimplantation) wird unter Berücksichtigung der Veränderung der Dotantenverteilung bei Hoch-temperaturschritten (Diffusionsverfahren; Oxydation) so geführt, daß das für die Bauelementefunktion erforderliche D. entsteht. Die Steilheit der pn-Übergänge, die räumliche Anordnung der Zonen mit p- und n-Leitung sowie ihre Ausdehnung und die Konzentration der Dotanten in den Zonen bestimmen dabei die Art des Bauelements (z. B. Bipolartransistor, Feldeffekttransistor) und sein Strom-Spannungs-Verhalten.

 

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Double-Zeta-Funktion

 

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Weitere Begriffe : Zustandsvariable | anomales magnetisches Moment | Elektroneurographie

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