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epitaktisches Wachstum

Wachstum von kristallinen Schichten auf kristallinen Substraten durch Deposition des Materials auf einer chemisch gleichen (homoepitaktisch) oder verschiedenen (heteroepitaktisch) einkristallinen Unterlage (Epitaxie). Unter Ultrahochvakuum-Bedingungen werden einkristalline Schichten abgeschieden, wobei Parameter wie Substrattemperatur und Aufdampfrate entscheidenden Einfluss auf die Qualität der Schichten haben. Die abgeschiedenen Atome werden an das bereits vorhandene Kristallgitter geordnet angefügt und formen so eine neue, ebenfalls einkristalline Oberfläche. Für Schichten, deren Dicke nur noch wenige Atomlagen beträgt, werden insbesondere die MBE und MOCVD, mit Wachstumsgeschwindigkeiten um 1mm/h, eingesetzt. Da bei diesen Methoden die Quellen innerhalb von Sekundenbruchteilen ab- und zugeschaltet werden können, besteht die Möglichkeit, mehrere, nur wenige Atomlagen dicke Schichten unterschiedlicher Zusammensetzung und Dotierung zu wachsen.

 

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Epitaxial-Planar-Diode

 

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