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Epitaxial-Planar-Diode

Planardiode, deren flächenhafter pnÜbergang in einer Epitaxieschicht (EpitaEpitaxial-Planar-Diodexie) mit Hilfe der Planar-Epitaxie- Technik hergestellt wird. Mit einer Epitaxieschicht erreicht man einen niedrigen Bahnwiderstand (Widerstand zwischen der Sperrschicht und dem Anschluß -in diesem Fall der Anode). Hohe Bahnwiderstände wirken sich besonders bei hohen Strömen durch die Diode negativ aus (hoher Spannungsabfall über der Diode, hohe thermische Belastung). Um den Bahnwiderstand gering zu halten, müßte bei einer normalen Planardiode das Substrat sehr dünn sein. Das ist aus mechanischen Gründen nur begrenzt möglich (Bruchgefahr). Oder das Substrat ist sehr hoch zu dotieren (Dotierung). Das aber würde zu einer sehr niedrigen Durchbruchspannung führen. Diese Nachteile umgeht man mit Hilfe der Epitaxieschicht, da das Substrat hierbei stark dotiert sein darf. Der größte Teil derzeitig hergestellter pn-Dioden sind E.

 

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