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Gallium-Aluminium-Arsenid-Laser

GaAlAs-Laser, weit verbreiteter Diodenlaser auf der Basis des Halbleiters Ga1-xAlxAs, der mit einem Wellenlängenbereich von 800 nm lange Zeit zu den kurzwelligsten Diodenlasern gehörte. Wird der GaAlAs-Laser in der Form des Doppel-Heterostruktur-Diodenlasers realisiert (unterschiedlich dotierte Schichten von GaAlAs und GaAs in einer Sandwich-Struktur), dann kann die aktive Zone, in der es zur Laseremission kommt, wesentlich dünner sein (< 1 m) als bei herkömmlichen Dioden-Strukturen. Dies führt zu einer geringeren Schwellstromdichte, so dass der Laser mit niedrigeren Injektionsströmen betrieben werden kann und längere Lebensdauern erreicht. Mit der Entwicklung langlebigerer und vor allem kurzwelligerer Laserdioden verlor der GaAlAs-Laser jedoch inzwischen an Bedeutung.

 

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