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Gallium-Arsenid-Technik

Teilgebiet der Halbleitertechnik, welche den direkten III-V-Verbindungshalbleiter GaAs besonders als Basismaterial für Anwendungen in der Optoelektronik (Herstellung von Laserdioden, LEDs) nutzt. Hierbei können, im Gegensatz zum indirekten Halbleiter Silicium, strahlende Übergänge zwischem dem Leitungsband und dem Valenzband stattfinden (Lumineszenz). Die Herstellung von GaAs-Einkristallen ist aufgrund der unterschiedlichen Dampfdrücke von Gallium und Arsen wesentlich komplizierter bei von Silicium.

 

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