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Gebiet begrabenes

Siederohmig begrabenes Gebiet (Abk. NBG). Vergrabene Schicht. Engt, buried layer. Hochdotiertes Halbleitergebiet mit geringem Bahnwiderstand, das parallel zur Oberfläche zwischen hochohmigen Halbleitergebieten liegt. Die b. G. werden häufig benutzt, um die statischen und dynamischen Eigenschaften integrierter Funktionselemente zu verbessern. Sie werden üblicherweise mittels Diffusion erzeugt. Zum Beispiel muß in integrierten Bipolartransistoren (Transistor, integrierter) der Kollektoranschluß ebenfalls an die Oberfläche des Substrats gelegt werden, was zu größeren Kollektorbahnwider-ständen führt. Da diese als Parasitärelemente (Widerstand, parasitärer) wirken können, wird zusätzlich eine niederohmige Epitaxieschicht eingefügt, d. h. unter der eigentlichen, aber hochohmigen n-Epitaxieschicht „vergraben".

 

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