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Isolationstechnik

Sammelbegriff für die unterschiedlichen Verfahren und Methoden zur gegenseitigen Isola tion der Funktionselemente in einer monolithischen IS. Damit sich in monolithisch integrierten Schaltungen (IS, monolithische) die einzelnen Funktionselemente nicht unerwünscht beeinflussen, müssen sie voneinander elektrisch isoliert sein. Dies geschieht bei Sili-cium-IS durch verschiedenartige Isolationsverfahren. Weit verbreitet sind insbesondere folgende Grundtechniken: Isolation durch Halbleitergebiete, die an beweglichen Ladungsträgern verarmt sind (Verarmungsschicht). Diese Methode wird praktisch in allen IS auf Basis der MIS-bzw. MOS-Technik benutzt, da bei ihnen unter dem Kanal eine isolierende r» Inversionsschicht vorliegt (Selbstisolation). Bei Bipolarschaltungen (IS, bipolare) muß dagegen eine Sperrschicht durch zusätzliche Prozeßschritte erzeugt werden (Sperrschichtisolation). Isolation durch dielektrische, d. h. nichtleitende Gebiete (Isolation, dielektrische). Je nach Ausführung verbrauchen die einzelnen Varianten unterschiedlich viel Chipfläche, so daß die Packungsdichte nicht nur von der Größe der Funktionselemente, sondern auch von den speziellen Isolationsmaßnahmen abhängt. Moderne I. ermöglichen hohe Integrationsgrade (LSI; VLSI), erfordern aber i. allg. einen höheren technologischen Aufwand bei der IS-Fertigung.

 

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