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MOS-Technik

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Julian Schultheiss

Engl. Abk. für metal oxide semiconductor, Metall-(Eigen-)Oxid-Halbleiter-Struktur. Sammelbegriff für diejenigen integrierten Bauelementetechniken, die auf dem Kon zept des MOSFET beruhen f Unipolartechnik). Die M. kann als Spezialfall der MIS-Technik angesehen werden und ist die am weitesten verbreitete Unipolartechnik. Zu ihr gehören die sogenannten Einkanalausführungen (PMOS-Technik und NMOS-Technik) sowie die r CMOS-Technik, die eine Komplementärkanalanordnung darstellt. Daneben gibt es eine Reihe weiterer abgeleiteter Varianten und spezieller Ausführungsformen wie H MOS-Technik, VMOS-Technik, FAMOS-Technik usw. Die Herstellung von Bauelementestrukturen ; in M. erfolgt weitgehend mittels Planartechnik in Kombination mit Implantationsverfahren. Von Vorteil gegenüber der Bipolartechnik sind eine sehr hohe I Packungsdichte infolge Selbstisolation I (Isolationstechnik), der wesentlich niedrigere Leistungsverbrauch, die hochohmige Schaltungsauslegung sowie die geringere Anzahl der Prozeßschritte im Zyklus I (nur etwa ein Drittel).

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