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NEXAFS

Oberflächen- und Grenzflächenphysik, EXAFS-Analytik in der Nähe einer Röntgenstrahlungs-Absorptionskante. Sie stellt eine wohl etablierte Analysetechnik zur Bestimmung von strukturellen Eigenschaften, mit der auch lokale Leerstellen analysiert werden können, dar.

Als Beispiel kann die NEXAFS-Analyse von Stickstoff-reichen Siliciumoxynitridfilmen (SiOxNy) genannt werden (siehe Abb.).

NEXAFS

NEXAFS: NEXAFS-Analyse von N-reichen SiOxNy-Filmen. Die N-Resonanzlinie bei 403 eV ist erklärbar durch N-Überschuss in den auf Wafer-Silicium aufgesputterten (Sputtern) SiOxNy-Schichten. Schichtzusammensetzung der Proben: Vergleichswert Si3N4: 57 % N; 20 L: Si 27 %, N 27 %, O 34 %, H 12 %; 22 K: Si 36 %, N 30 %, O 18%, H 15 %). Die Elementkonzentrationen wurden mittels Ionenstrahlanalyse ermittelt. Der N-Überschuss in der as-grown-Probe 20 K ist durch 30minütige Temperung der Probe bei 530° C signifikant zu reduzieren (20 K, gehärtet).

 

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