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Schottky-Näherung

Elektronik, Halbleiterphysik, Schottky-Modell, Annahme einer näherungsweise rechteckförmigen Raumladungszone beim p-n-Übergang. Hierdurch kann die Berechnung der Potentialverhältnisse in der Übergangszone wesentlich vereinfacht werden, da man ansonsten berücksichtigen muss, dass Potentialverlauf und die Zahl der diffundierten Ladungsträger gegenseitig voneinander abhängen, was mathematisch schwierig zu behandeln ist.

 

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