Siliciumdotierung
Hans-Peter Ahlsen
Festkörperphysik, gezieltes Einbringen von Siliciumatomen in das Kontaktmaterial an einem Metall-Halbleiter-Kontakt zur Vermeidung von Diffusionsschäden. Diese Technik kommt vor allem an Aluminium-Kontakten in der Chipherstellung zur Anwendung. Durch die Präsenz einzelner Siliciumatome wird das schnelle Durchdiffundieren von Aluminium entlang von eventuell vorhandenen Defektclustern im Halbleiter vermieden, was ansonsten einen Kurzschluss verursachen und damit das komplette Bauelement unbrauchbar machen würde.
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