thermische Ionisation
Autor:
Hermann Loring
Hermann Loring
Oberflächen- und Grenzflächenphysik, durch die thermische Energie kT angeregte Trennung zwischen frei beweglichen Ladungsträgern und Ionenrümpfen. Bei Zimmertemperatur ist die thermische Ionisation v.a. im Zusammenhang mit Dotieratomen (Dotierung) in Halbleitern (typische Bindungsenergien von Ladungsträgern: ca. 30 meV) relevant; bei höheren Temperaturen tritt eine merkliche thermische Ionisation auch in Gasen auf.
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