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Implantationsverfahren

Verfahren des Einbringens von Dotanten in den Halbleiter durch Ionenimplantation. I. unterscheidet man bezüglich der implantierten Dotantenmenge (Dosis), der eingestellten Wafertemperatur und der Art der Oberfläche (mit und ohne Deckschicht). Hochdosisimplantation wird z. B. bei der Herstellung der Kontaktgebiete (Source und Drain bei MOSFET) und Niederdosisimplantation für die Kanalgebiete eingesetzt. Implantiert man bei Temperaturen über 200 °C, werden Strahlenschäden teilweise schon während der Implantation ausgeheilt (Ausheilen). Es werden jedoch höhere Anforderungen an die Maske für die Implantation gestellt. Durch Deckschichten (z. B. aus Siliciumnitrid) kann man erreichen, daß das Maximum des Implantationsprofils in Oberflächennähe liegt. Die Deckschicht verhindert außerdem beim Ausheilen von Verbindungshalbleitern deren Zersetzung.

 

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