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Anreicherungsschicht

Anreicherungsrandschicht. Randschicht im Halbleiter unter einer Halbleiteroberfläche, die mit Majoritätsträgern angereichert ist. Da in A. die Dichte der Majoritätsträger an der Grenzfläche zwischen Metallkontakt und Halbleiter bzw. in Oberflächennähe größer als im Volumen des Halbleiters ist, wird ihre Leitfähigkeit (Leitfähigkeit, spezifische) vergrößert. Wird speziell an Metallkontakten eine solche Vorspannung angelegt, daß die in der A. vorhandenen Majoritätsträger in das Halbleitervolumen gedrängt werden, kann eine Injektion von Majoritäten stattfinden. Ein solcher Kontakt hat im Gegensatz zu entsprechenden Verarmungsschichten also keine Sperrwirkung, sondern verhält sich eher wie ein ohmscher Kontakt. An Oberflächen können A. durch La-dungsträgerinfluenz erzeugt werden und zur Steuerung eines elektrischen Stroms über ein äußeres Feld dienen (Feldeffekt in IG-FET).

 

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