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Injektion

Ladungsträgerinjektion. Vorgang an Halb leiterübergängen, bei dem eine Änderung der im Gleichgewichtszustand vorhandenen Dichten der Ladungsträger stattfindet und zu deren Anhäufung in Nähe der Grenzfläche führt. I. kann sowohl bei einem Heterojunction als auch bei einem Homojunction stattfinden und bewirkt eine Erhöhung der Leitfähigkeit. Grundsätzlich können beide Ladungsträgerarten, d. h. Elektronen und Löcher, injiziert werden. Zu einer I. kommt es vor allem dann, wenn das sich nahe der Grenzfläche zwischen den beiden Gebieten des Übergangs aus Neutralitätsgründen einstellende Ladungsträgergleichgewicht durch ein angelegtes äußeres Feld gestört wird. Bei Stromfluß werden die infolge Drift und Diffusion abfließenden Ladungsträger ständig durch neu eingebrachte (injizierte) ersetzt - es fließt ein I. strom. Von besonderer Bedeutung ist die I. von Minoritätsträgern aus einem unsymmetrischen pn-Übergang. Dabei werden in Flußrichtung bei geeigneter Dotierung die» Majoritätsträger aus dem benachbarten Gebiet mit entgegengesetztem Leitungstyp in das angrenzende Gebiet hineingeschwemmt. Dieser Vorgang bildet die Grundlage für die Funktion des Bipolartransistors (Transistor, bipolarer). Des weiteren beruhen auch LED und Halbleiterlaser auf I. Bei ihnen wird mittels Minoritätsträger-I. ein so hoher Überschuß an Minoritätsträgern erzeugt, daß eine Rekombination mit sehr hoher Rate erfolgen kann (I. lumineszenz; I. laser). 1) Halbleiterphysik: Einbringen (Injizieren) von Ladungsträgern in eine Halbleiterschicht.

2) Teilchenphysik: das Einführen von Teilchen in einen Beschleuniger. Da die Teilchen ausserhalb der eigentlichen Akzeptanz eingeschossen werden, bringt ein sogenannter Kicker, ein spezieller schnell gepulster Magnet, die Teilchen auf ihre vorgeschriebene Bahn.

3) Raumfahrt: Einschuss.

 

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