Grenzfläche

Phasengrenzfläche. Ebene, über die Festkörper verschiedener Eigenschaften (Halbleiter, Isolator, Metall) miteinander in Wechselwirkung stehen.

Für die Halbleiterelektronik wichtige G. sind diejenigen zwischen Halbleiter und Isolator, z. B. beim System Silicium-Sili-ciumdioxid (Si-Si02), dessen hervorragende Grenzflächeneigenschaften in MOSFET und in der MOS-Technik ausgenutzt werden, sowie solche zwischen Halbleiter und Metall (Metall-Halbleiter-Übergang). Weiterhin bilden auch verschiedene Halbleiterwerkstoffe (Heterojunction) und Halbleiter mit unterschiedlichem Leitungstyp G. Eine besondere G. stellt die Oberfläche eines Halbleiters dar (System Halbleiter-Vakuum bzw. -Gas). Grundsätzlich kann eine G. in ähnlicher Weise diskrete Energieniveaus in der verbotenen Zone (G. zustände) verursachen, wie von der Halbleiteroberfläche Oberflächenzustände erzeugt werden.

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