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Bandübergang

Energiebandübergang. Energetischer Übergang von Elektronen zwischen Leitungsband und dem höchsten Punkt des Valenz bandes { Bandstruktur). Der Charakter eines B. ist für die Eignung des Halbleiterwerkstoffs in » Strahlungsemitter-Bauelementen von entscheidender Bedeutung. Er wird von der Lage der Energiebänder in der Bandstruktur des Halbleiters bestimmt: Liegt dem Valenzbandmaximum, das sich in der Zonenmitte (d. h. beim Impulswert k = 0) befindet, der tiefste Punkt des Leitungsbandes senkrecht gegenüber, hat der Halbleiter einen direkten B. Derartige Halbleiter werden auch als direkte Halbleiter bezeichnet. Befindet sich das Leitungsbandminimum bei einem anderen Impulswert, ist der B. indirekt. Nur bei direkten, d. h. senkrechten B. können die Elektronen unmittelbar vom Leitungs- ins Valenzband übergehen und mit Defektelektronen rekombinieren; beim indirekten B. findet der Rekombinationsvorgang dagegen wesentlich seltener statt. Direkte Halbleiter zeigen deshalb eine erheblich höhere Strahlungsausbeute (Lumineszenz durch Injektion).

 

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