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Bridgeman- Verfahren

Verfahren der Kristallzüchtung in einem Tiegel. Das Prinzip ähnelt dem des Zonenfloating-Verfahrens. Das polykristalline Ausgangsmaterial (Poly-Silicium) befindet sich in einem Tiegel, an dessen einem Ende der Impfkristall angebracht ist. Der in einem Quarzrohr befindliche Tiegel wird langsam (etwa 5 cmh) durch einen Ofen gezogen, in dessen Mitte die Temperatur den Schmelzpunkt des Halbleiters überschreitet. Somit schmilzt das Material auf und wächst entsprechend der Kristallorientierung des Impfkristalls an diesen an. Einkristalle auf der Basis von III-V-Halbleitern werden z. B. nach dem B. gezogen und für die Herstellung von Laserdioden verwendet.

 

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