Kristallzüchtung

Kristallziehen. Herstellen der in der Halblei terbauelementefertigung benötigten Einkri stalle im Zyklus 0.

Ausgangswerkstoff der K. ist ein Stab aus polykristallinem Silicium (Polysilicium). Dieses wird aus Quarzsand (Quarz - eine Modifikation des Siliciumdioxid) gewonnen, der zu Tri- oder Tetrachlorsilan (SiHCl3 bzw. SiCl4) umgesetzt wird. Dieses Gas wird gereinigt und anschließend in einer Wasserstoffatmosphäre an beheizten Sili-ciumstäben zu polykristallinem Silicium reduziert. Aus diesen Stäben werden durch Tiegelzüchtungsverfahren (z. B. Czochral-ski- oder Bridgeman-Verfahren) oder tiegelfreie Züchtungsverfahren (z. B. Zonenfloating-Verfahren) Einkristalle gewonnen. Nach der K. erfolgt die Kristallbearbeitung zu Scheiben. Die K. erfolgt bei anderen Halbleitermaterialien mit entsprechend abgewandelten Verfahren.

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