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CDI-Technik

Spezielles Verfahren zur Sperrschichtisolation, bei der die gegenseitige Isolation von den Kollektorgebieten bewirkt wird. Gegenüber dem SBC-Verfahren sind beim C. weniger Prozeßschritte erforderlich. Auf ein p-leitendes — Substrat werden eine vergrabene n+-Schicht (— Gebiet, begrabenes) sowie eine p-Schicht mittels Epitaxie aufgebracht. Die Erzeugung der n+-Kollektoranschlüsse erfolgt durch Diffusion in solcher Weise, daß diese gleichzeitig die Verbindung zum vergrabenen Kollektorbahngebiet herstellen. Die Sperrschicht bildet sich dann zwischen der p-Insel (Basis des Transistors) und dem zusammenhängenden n+-Kollektorgebiet aus.

 

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CDI-Verfahren

 

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