A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

 

 

Drahtbonden

Herstellen der elektrischen Verbindungen von den Bondinseln des Chips zu den Bondstellen des Trägers durch Bonddrähte. Das D. ist Bestandteil des Zyklus II und dient der Kontaktierung des Chips mit Hilfe von Bonddrähten. Mittels eines Stempels wird der Bonddraht auf der Bondinsel des Chips und der entsprechenden Bondstelle des Trägers angeschweißt. Nach der Form der dabei zugeführten Energie unterscheidet man zwischen Thermokompressionsbon-den (Druck und Temperatur) und Ultraschallbonden (Druck und Ultraschall). Das Thermosonicbonden nutzt die Vorteile beider Verfahren und gewinnt daher an Bedeutung. Übliche Bonddrähte haben einen Durchmesser von 20 bis 50 m (Leistungsbauelemente bis 500 m) und bestehen aus Aluminium oder Gold. Letzteres wird nur bei hohen Anforderungen an die Lebensdauer und die mechanischen und elektrischen Kontakteigenschaften eingesetzt. Der Aufbau der Bondinseln des Chips und der Bondstellen des Trägers muß dem Verfahren und dem verwendeten Bonddraht angepaßt sein.

 

<< vorhergehender Begriff
nächster Begriff >>
Drahtbond-Verfahren
Drahtkammer

 

Diese Seite als Bookmark speichern :

 

Weitere Begriffe : Wasserkraftwerk | FIRST | Hohlglas

Übersicht | Themen | Unser Projekt | Grosse Persönlichkeiten der Technik | Impressum | Datenschutzbestimmungen