A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

 

 

Gesetz Mooresches

Aussage über die ständige Erhöhung des Integrationsgrades gemäß der Potenzfunktion 2n, wobei die Zahl n den jährlichen Abstand zum Integrationsbeginn um 1959 bedeutet. Das M. G. sagt aus, daß der Integrationsgrad der komplexesten IS mit jedem Jahr um den Faktor 2 steigt. Es basiert auf der tatsächlich erfolgten jährlichen Verdopplung des maximalen Integrationsgrades von Halbleiterspeicherbauelementen zwischen 1960 und 1975. Diese Verallgemeinerung eines empirisch festgestellten Zusammenhangs trägt insofern gesetzmäßigen Charakter, als sie die objektive und ökonomisch bedingte Entwicklungsrichtung der integrierten Mikroelektronik beschreibt. Die ständige Erhöhung des Integrationsgrades war die entscheidende Voraussetzung für die bisher erfolgte exponentielle Abnahme der Kosten für ein Speicherbit, die in den letzten 20 Jahren den Faktor 1000 weit überschritten hat. Das entspricht einer jährlichen Kostensenkung um den Faktor 1, 5. Eine ähnliche Preisreduktion ist bei allen integrierten Digitalschaltungen zu verzeichnen. Erst dadurch wurde die breite Anwendung von Speicher- und Logikschaltungen in der Rechen- und Speichertechnik möglich. Das wiederum hat die Weiterentwicklung der Halbleitertechnologien und Schaltungstech-niken wesentlich stimuliert und so die massenweise Einführung integrierter Schaltungen und anderer mikroelektronischer Bauelemente in der gesamten Industrie bewirkt. Gegenwärtig beträgt die Verdopplungszeit bei digitalen IS etwa V2 Jahre, und es wird erwartet, daß sich die Steigerungsrate künftig weiter abflachen wird. Dieses verlangsamte Wachstum hat weder fertigungstechnische noch bauelementephysikalische Ursachen, da die bisher erkennbaren Grenzen noch nicht erreicht sind. Die Gründe dafür sind vielmehr in den Schwierigkeiten zu sehen, die außerordentlich große Menge an logischer Information und Verknüpfung zu verarbeiten, die sich schon jetzt auf einem einzigen Chip mit etwa 1 Million Funktionselementen unterbringen läßt (VLSI).

 

<< vorhergehender Begriff
nächster Begriff >>
Gesetz kommutatives
Gesetz der ersten Wellenfront

 

Diese Seite als Bookmark speichern :

 

Weitere Begriffe : Brutzone | Hamiltonsche Wirkungsfunktion | aktives Zentrum

Übersicht | Themen | Unser Projekt | Grosse Persönlichkeiten der Technik | Impressum | Datenschutzbestimmungen