Gunn-Element

Gunn-Diode. Halbleiterbauelement, bei dem der Gunn-Effekt ausgenutzt wird. Das G. besteht aus einem homogenen Halbleiter mit zwei Anschlüssen und wird auch Gunn-Diode genannt, obwohl das G. keine Diodencharakteristik, sondern eine von der Polung unabhängige Kennlinie besitzt. Der Gunn-Effekt tritt nur in bestimmten Halbleiterwerkstoffen, den Gunn-Halbleitern, auf. Zu den wichtigsten zählen Galliumarsenid (GaAs), Indiumarsenid (InAs), indiumphosphid (InP) und ln-diumantimonid (InSb). Das Auftreten eines negativen differentiellen Widerstands als Volumeneffekt (Gunn-Effekt) wird zur Erzeugung und Verstärkung von Mikrowellen technisch genutzt.

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