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Indiumphosphid

Formelzeichen InP. IIIV Halbleiter, bestehend aus den chemischen Elementen In dium (III. Hauptgruppe des Periodensystems) und Phosphor (V. Hauptgruppe). I. hat elektronische Eigenschaften, die dem Galliumarsemd (GaAs) sehr ähnlich sind, so daß beide Halbleiterwerkstoffe prinzipiell in Konkurrenz zueinander stehen. Auch die bei der Bauelementeherstellung erforderlichen Prozeßschritte im Zyklus 0 und Zyklus I sind weitgehend mit gleichen Problemen verbunden. Jedoch hat die Technologie des I. aus historischen Gründen bisher nicht annähernd den Reifegrad der GaAs-Technologie erreicht. Deswegen verursachen Bauelemente aus I. wesentlich höhere Fertigungskosten. Seine Anwendung erfolgt deshalb nur dort, wo bessere technische Parameter bzw. günstigere Eigenschaften erzielt werden können: Gunn-Elemente aus I. ermöglichen aufgrund des stärker ausgeprägten Gunn-Effekts z. B. zweifach höhere Arbeitsfrequenzen und zeigen geringeres Rauschen. Auch bei anderen Höchstfrequenz-Halbleiterbauelementen, wie IMPATT-Dioden und MISFET, sind perspektivische Vorteile zu erwarten, wenn als Halbleiterwerkstoff I. verwendet wird. In der Optoelektronik ist I. ein wichtiges Substratmaterial für die Herstellung von Halbleiterlasern und Fotodioden, da es die epitaktische Erzeugung (Epitaxie) von gitterangepaßten Hetero-strukturen (Heterojunction) aus den Mischverbindungen Gallium-Indium- Arse-nid-Phosphid (GaxIn! -„ASyP, y) und Gal-Hum-Indium-Arsenid (Ga^Ino^As) ermöglicht (III-V-Halbleiter). Die daraus gefertigten Lichtquellen und Detektoren arbeiten im infraroten Wellenlängenbereich zwischen 1, 3 und 1, 6 m, der für die Lichtleitertechnik sehr günstig ist und mit Galliumarsenid-Lasern aufgrund des zu geringen Bandabstands nicht überdeckt werden kann (Lumineszenz).

 

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