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Halbleiterphotoelement

ein Halbleiterbauelement, bei dem infolge des inneren photoelektrischen Effektes eine elektrische Spannungsdifferenz, die Photo-EMK, auftritt. Dabei wird Lichtenergie direkt in elektrische Energie umgewandelt. Halbleiterphotoelemente haben einen p-n-Übergang. Sie bestehen z.B. aus einem n-leitenden Material, wie Silicium, mit p-leitender Oberflächenschicht. Wenn Photonen in die p-Zone eindringen, so entstehen am p-n-Übergang Elektron-Loch-Paare (Ladungsträgererzeugung). Diese rufen ähnlich wie beim Sperrschichtphotoelement die Photo-EMK hervor.

Da in Halbleiterphotoelementen auch durch Gamma- oder Korpuskularstrahlung Ladungsträgerpaare gebildet werden können, werden Halbleiterphotoelemente auch als Halbleiterdetektoren für derartige Strahlen verwendet. Ein Halbleiterphotoelement ist z.B. die Solarzelle. Halbleiterphotoelemente mit von aussen angelegter Spannung sind Photodioden (Diode).

 

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