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Huang-Rhys-Faktor

ein Mass für die Stärke der Wechselwirkung zwischen einem an eine Störstelle gebundenen Elektron und den Phononen des Kristalls. Der Huang-Rhys-Faktor gibt die Zahl der im Mittel bei einem Elektronenübergang emittierten Phononen an. Er kann direkt aus der Stokes-Verschiebung D zwischen Absorptions- und Emissionsbande, die zum gleichen elektronischen Übergang gehören, bestimmt werden: Huang-Rhys-Faktor. Dabei ist Huang-Rhys-Faktor die Energie der Phononen, die bei der Wechselwirkung dominieren. Der Huang-Rhys-Faktor erreicht bei einigen Störstellen in Alkalihalogenidkristallen Werte über 10 (z.B. für das F-Zentrum).

 

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